2SD1609D Todos los transistores

 

2SD1609D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1609D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SD1609D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:84K  utc
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2SD1609D

UTC 2SD1609 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FEATURES * Low frequency high voltage amplifier 1TO-1261:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL MIN MAX UNITCollector-Base Voltage BVCBO 160 VCollector-Emitter Voltage BVCEO 160 VEmitter-Base Voltage BVEBO 5 VCollector Curre

 7.2. Size:32K  hitachi
 2sd1609 2sd1610.pdf pdf_icon

2SD1609D

2SD1609, 2SD1610Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SB1109 and 2SB1110OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)RatingsItem Symbol 2SD1609 2SD1610 UnitCollector to base voltage VCBO 160 200 VCollector to emitter voltage VCEO 160 200 VEmitter to base voltage VEB

 7.3. Size:193K  inchange semiconductor
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2SD1609D

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1609DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 160V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedComplement to Type 2SB1109Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency and high-voltage amplifierapplica

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History: NSBA123JDXV6T5G | BUB941ZT | ASY68 | CSC2240 | DMA366A3 | BSC1016 | H423

 

 
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