2N2273 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2273
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N2273
2N2273 Datasheet (PDF)
2n2270al.pdf
2N2270ALDimensions in mm (inches). 8.51 (0.34)9.40 (0.37)Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)0.89 (0.035)max.38.00 Bipolar NPN Device. (1.5)0.41 (0.016)min.0.53 (0.021)dia.VCEO = 45V 5.08 (0.200)IC = 1.0A typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100)1 3 ca
2n2270.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2270TO-39Metal Can PackageAmplifier TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 VCollector Emitter Voltage, RBE
Otros transistores... 2N2268 , 2N2269 , 2N227 , 2N2270 , 2N2270L , 2N2270S , 2N2271 , 2N2272 , 2SD2499 , 2N2274 , 2N2275 , 2N2276 , 2N2277 , 2N2278 , 2N2279 , 2N228 , 2N2280 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050