2N231 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N231
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.009 W
Tensión colector-base (Vcb): 5 V
Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.003 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 55 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO23
- Selección de transistores por parámetros
2N231 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2N2303-46 , 2N2303-51 , 2N2304 , 2N2305 , 2N2306 , 2N2306A , 2N2308 , 2N2309 , BC549 , 2N2310 , 2N2311 , 2N2312 , 2N2313 , 2N2314 , 2N2315 , 2N2316 , 2N2317 .
History: KMBTA05 | 2SC706 | DTA602 | 2SC1400U | ECG311
History: KMBTA05 | 2SC706 | DTA602 | 2SC1400U | ECG311



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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