2SD192 Todos los transistores

 

2SD192 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD192
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 24 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2SD192 Datasheet (PDF)

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2SD192

2SD1922Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifierOutlineTO-92MOD23ID1. Emitter2. Collector3. Base13212SD1922Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 25 VCollector to emitter voltage VCEO 25 VEmitter to base voltage VEBO 6VCollector current IC 0.8 ACollector peak current ic (peak)

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History: 2SC2712-LY | 2SC2549 | 3DG2053 | DME50501 | AC240 | 2N1032C | BDY83A

 

 
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