2SD1925 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1925
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de 2SD1925
2SD1925 Datasheet (PDF)
2sd1922.pdf

2SD1922Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifierOutlineTO-92MOD23ID1. Emitter2. Collector3. Base13212SD1922Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 25 VCollector to emitter voltage VCEO 25 VEmitter to base voltage VEBO 6VCollector current IC 0.8 ACollector peak current ic (peak)
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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