2N2320 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2320

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO46

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2N2320 datasheet

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2N2320

2N2323 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPNP Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPNP Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 5.08 (0.200) IC = typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can be proc

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2N2320

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2N2320

Silicon Controlled Rectifier 2N2323, 2N2324, 2N2326, 2N2328 & 2N2329 2N2323S, 2N2324S, 2N2326S, 2N2328S & 2N2329S 2N2323A, 2N2324A, 2N2326A & 2N2328A, 2N2329A 2N2323AS, 2N2324AS, 2N2326AS, 2N2328AS, 2N2329AS Features Available in JAN, JANTX and JANTXV per MIL-PRF-19500/276 TO-5 & TO-39 (TO-205AD) Package Maximum Ratings 2N2323, S/ 2N2324, S/ 2N2326, S/ 2N2328, S/ 2N2329, S/

Otros transistores... 2N2313, 2N2314, 2N2315, 2N2316, 2N2317, 2N2318, 2N2319, 2N232, 431, 2N233, 2N2330, 2N2330S, 2N2331, 2N2331S, 2N2332, 2N2333, 2N2334