2SD234R Todos los transistores

 

2SD234R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD234R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 400 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SD234R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:38K  panasonic
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2SD234R

Transistor2SD2345Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mm1.6 0.150.4 0.8 0.1 0.4FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.1Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).High emitter to base voltage VEBO.3Low noise voltage NV.2Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit0.2 0.1Collector to b

 8.2. Size:42K  panasonic
 2sd2345 e.pdf pdf_icon

2SD234R

Transistor2SD2345Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mm1.6 0.150.4 0.8 0.1 0.4FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.1Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).High emitter to base voltage VEBO.3Low noise voltage NV.2Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit0.2 0.1Collector to b

 8.3. Size:143K  no
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 8.4. Size:47K  no
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2SD234R

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History: DRAF123J | BCW14K | 2SD973A | BDS10N1A | 40006 | 2SD181 | BU102D

 

 
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