2SD234Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD234Y  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 400 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO220

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2SD234Y datasheet

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2SD234Y

Transistor 2SD2345 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm 1.6 0.15 0.4 0.8 0.1 0.4 Features High foward current transfer ratio hFE. 1 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). High emitter to base voltage VEBO. 3 Low noise voltage NV. 2 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit 0.2 0.1 Collector to b

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2SD234Y

Transistor 2SD2345 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm 1.6 0.15 0.4 0.8 0.1 0.4 Features High foward current transfer ratio hFE. 1 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). High emitter to base voltage VEBO. 3 Low noise voltage NV. 2 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit 0.2 0.1 Collector to b

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2SD234Y

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2SD234Y

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