2SD326 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD326
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 17 W
Tensión colector-base (Vcb): 330 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SD326
2SD326 Datasheet (PDF)
3da325 2sd325.pdf
3DA325(2SD325) NPN PCM TC=25 1.75 W ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 71 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 35 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A IEBO VCE=5.0V 1.0 A VBEsat 1.5 IC=1.5A V IB
2sd320.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD320DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 230V(Min)(BR) CEOExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 2.0V(Max)@ I = 2ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose
2sd325.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD325DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 35V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 1.5ACE(sat) CComplement to Type 2SB511Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.Rec
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History: MPSH10G | MPSA13RLRAG | 2SA1171
History: MPSH10G | MPSA13RLRAG | 2SA1171
Liste
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