2SD401G Todos los transistores

 

2SD401G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD401G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SD401G Datasheet (PDF)

 8.1. Size:567K  nec
 2sb546a 2sb547a 2sd401a 2sd402a 2sd401a 2sd402a 2sb546a 2sb547a.pdf pdf_icon

2SD401G

 8.2. Size:113K  mospec
 2sd401a.pdf pdf_icon

2SD401G

AAA

 8.3. Size:55K  jmnic
 2sd401a.pdf pdf_icon

2SD401G

Product Specification www.jmnic.comSilicon NPN Power Transistors 2SD401A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB546A Collector current IC=2A Collector-collector voltage:VCEO=150V(Min) APPLICATIONS For use in general purpose power amplifier, vertical output application PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base

 8.4. Size:117K  jmnic
 2sd401.pdf pdf_icon

2SD401G

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD401 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB546 Collector current IC=2A Collector-base voltage VCBO=200V APPLICATIONS For use in general purpose power amplifier,vertical output application PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter

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History: 2SD799

 

 
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