2SD416 Todos los transistores

 

2SD416 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD416
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 13 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 3.5
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD416 Datasheet (PDF)

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2SD416

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SB548, 549/2SD414, 415PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERSFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output High voltage Available for small mount spaces due to small and thin package Easy to be attached to radiatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

 9.2. Size:49K  no
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 9.3. Size:192K  inchange semiconductor
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2SD416

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD414DESCRIPTIONWith TO-126packagingExcellent linearity of hFELow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speedComplementary to 2SB548Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.APPLICATIONSRelay drivers, high-speed inverters , converters andOther general high current swit

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History: ECG321 | 2SA1590 | FMMT591A | 2N6707 | RN2205 | MM3001 | SRC1211SF

 

 
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