2SD434 Todos los transistores

 

2SD434 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD434
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD434 Datasheet (PDF)

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2SD434

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD437DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 350V (Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power amplifier and switching regulatorapplications.ABSOLUTE MAXI

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History: GES3567 | MJE13009-3PN

 

 
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