2SD479 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD479
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 6000
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de 2SD479
2SD479 Datasheet (PDF)
2sd476.pdf
2SD476(K), 2SD476A(K)Silicon NPN Triple DiffusedApplicationPower switching complementary pair with 2SB566(K) and 2SB566A(K)OutlineTO-220AB1. Base2. Collector(Flange)13. Emitter23Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)RatingsItem Symbol 2SD476(K) 2SD476A(K) UnitCollector to base voltage VCBO 70 70 VCollector to emitter voltage VCEO 50 60 VEmitter to base voltage
Otros transistores... 2SD475 , 2SD475A , 2SD476 , 2SD476A , 2SD476AK , 2SD476K , 2SD477 , 2SD478 , 2SD1555 , 2SD48 , 2SD480 , 2SD481 , 2SD482 , 2SD483 , 2SD484 , 2SD485 , 2SD486 .
History: MP505 | NJL0281D | UNR511H | M54580FP | HEPS0005 | 2N473A | 2N3226
History: MP505 | NJL0281D | UNR511H | M54580FP | HEPS0005 | 2N473A | 2N3226
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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