2SD49 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD49

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 18 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO66

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2SD49 datasheet

 0.1. Size:198K  inchange semiconductor
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2SD49

isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD492 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h =20-70@I = 4A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.1 V(Max)@ I = 4A CE(sat C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for general-purpose switch

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