2SD513 Todos los transistores

 

2SD513 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD513
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 130 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 250 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: MT11
 

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2SD513 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd517.pdf pdf_icon

2SD513

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD517DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits .ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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