2SD525O Todos los transistores

 

2SD525O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD525O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 12 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SD525O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:69K  wingshing
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2SD525O

2SD525 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SB595ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 100 V Emitter-Base voltage VEBO 5 V Collector Current (DC) IC 5 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 40 W Juncti

 8.2. Size:87K  jmnic
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2SD525O

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD525 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB595 High breakdown voltage :VCEO=100V Low collector saturation volage : VCE(sat)=2.0V(Max) APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 30W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
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2SD525O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD525DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max) @I = 4.0ACE(sat) CComplement to Type 2SB595Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for

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History: KT3102BM | 2SB237 | 2SB380B | KT601A | CK398

 

 
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