2SD542 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD542

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO3A

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2SD542 datasheet

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2SD542

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2SD542

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD546 DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = 1A C Power Dissipation-P =30W @T = 25 D C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 800 V CBO V Collector-Emitter Voltage 500 V CEO V Emitter-Base Voltage

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2SD542

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD544 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0A CE(sat) C With TO-220C Package Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power ampli

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