2SD545D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD545D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO92

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2SD545D datasheet

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2SD545D

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2SD545D

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD546 DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = 1A C Power Dissipation-P =30W @T = 25 D C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 800 V CBO V Collector-Emitter Voltage 500 V CEO V Emitter-Base Voltage

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2SD545D

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD544 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0A CE(sat) C With TO-220C Package Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power ampli

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