2SD545E Todos los transistores

 

2SD545E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD545E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SD545E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:45K  sanyo
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2SD545E

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
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2SD545E

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD546DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = 1ACPower Dissipation-P =30W @T = 25D CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 800 VCBOV Collector-Emitter Voltage 500 VCEOV Emitter-Base Voltage

 9.2. Size:201K  inchange semiconductor
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2SD545E

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD544DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 90V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0ACE(sat) CWith TO-220C PackageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power ampli

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History: BD830A | FA4L4M | 2N1073B | 2SC3295 | BSY71 | DTC108 | 2SD613

 

 
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