2SD574A Todos los transistores

 

2SD574A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD574A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 400 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD574A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:169K  nec
 2sd571.pdf pdf_icon

2SD574A

 9.2. Size:20K  no
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2SD574A

 9.3. Size:217K  inchange semiconductor
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2SD574A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD570DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 70V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage: V = 0.6V(Max.)@I = 2ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.4. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd577.pdf pdf_icon

2SD574A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD577DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits .ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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History: MMBC1623L5 | 2SB444B | NB222ZY

 

 
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