2SD61 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD61
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de 2SD61
2SD61 datasheet
2sd613.pdf
Ordering number 513H PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB633/2SD613 85V/6A, AF 25 to 35W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO85V, high current 6A. unit mm AF25 to 35W output. 2010C [2SB633/2SD613] JEDEC TO-220AB 1 Base ( ) 2SB633 EIAJ SC-46 2 Collector 3 Emitter Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta =
2sb633p 2sd613p.pdf
Ordering number ENN6662 2SB633P/2SD613P PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB633P / 2SD613P 85V / 6A, AF 35 to 45W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO 85V, unit mm high current 6A. 2010C AF 35 to 45W output. [2SB633P / 2SD613P] 10.2 4.5 3.6 5.1 1.3 1.2 0.8 0.4 1 Base 2 Collector 1 2 3 3 Emitter Spec
Otros transistores... 2SD602A , 2SD603 , 2SD604 , 2SD605 , 2SD605D , 2SD606 , 2SD608 , 2SD608A , D882P , 2SD610 , 2SD611 , 2SD611A , 2SD612 , 2SD612K , 2SD613 , 2SD613C , 2SD613D .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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