2SD61 Todos los transistores

 

2SD61 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD61
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2SD61 datasheet

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2SD61

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2SD61

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2SD61

Ordering number 513H PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB633/2SD613 85V/6A, AF 25 to 35W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO85V, high current 6A. unit mm AF25 to 35W output. 2010C [2SB633/2SD613] JEDEC TO-220AB 1 Base ( ) 2SB633 EIAJ SC-46 2 Collector 3 Emitter Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta =

 0.4. Size:27K  sanyo
2sb633p 2sd613p.pdf pdf_icon

2SD61

Ordering number ENN6662 2SB633P/2SD613P PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB633P / 2SD613P 85V / 6A, AF 35 to 45W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO 85V, unit mm high current 6A. 2010C AF 35 to 45W output. [2SB633P / 2SD613P] 10.2 4.5 3.6 5.1 1.3 1.2 0.8 0.4 1 Base 2 Collector 1 2 3 3 Emitter Spec

Otros transistores... 2SD602A , 2SD603 , 2SD604 , 2SD605 , 2SD605D , 2SD606 , 2SD608 , 2SD608A , D882P , 2SD610 , 2SD611 , 2SD611A , 2SD612 , 2SD612K , 2SD613 , 2SD613C , 2SD613D .

 

 

 


 
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