2SD610 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD610

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO220

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2SD610 datasheet

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2SD610

Ordering number 513H PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB633/2SD613 85V/6A, AF 25 to 35W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO85V, high current 6A. unit mm AF25 to 35W output. 2010C [2SB633/2SD613] JEDEC TO-220AB 1 Base ( ) 2SB633 EIAJ SC-46 2 Collector 3 Emitter Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta =

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2SD610

Ordering number ENN6662 2SB633P/2SD613P PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB633P / 2SD613P 85V / 6A, AF 35 to 45W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO 85V, unit mm high current 6A. 2010C AF 35 to 45W output. [2SB633P / 2SD613P] 10.2 4.5 3.6 5.1 1.3 1.2 0.8 0.4 1 Base 2 Collector 1 2 3 3 Emitter Spec

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