2SD625 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD625

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 6.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO5

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2SD625 datasheet

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2SD625

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2SD625

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2SD625

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD627 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1500 V CBO V Coll

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2SD625

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD628 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min.) CEO(sus) High DC Current Gain- h = 1000(Min.)@I = 5A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE (sat) C Complement to Type 2SB638 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS

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