2SD693 Todos los transistores

 

2SD693 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD693
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 450 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD693 Datasheet (PDF)

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2SD693

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD693DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 450V(Min)CEO(SUS)High Power DissipationLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for line operated switchmode applications such as:Switching regu

 9.1. Size:102K  toshiba
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History: 2N1196

 

 
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