2SD693 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD693

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 450 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 150

Encapsulados: TO3

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2SD693 datasheet

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2SD693

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD693 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) High Power Dissipation Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for line operated switchmode applications such as Switching regu

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