2SD696 Todos los transistores

 

2SD696 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD696
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 400 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 100 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO3A-1
 

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2SD696 datasheet

 9.1. Size:102K  toshiba
 2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

2SD696

 9.2. Size:125K  panasonic
 2sd691 2sd692.pdf pdf_icon

2SD696

 9.3. Size:86K  panasonic
 2sd693.pdf pdf_icon

2SD696

 9.4. Size:209K  inchange semiconductor
 2sd692.pdf pdf_icon

2SD696

isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD692 DESCRIPTION Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC current gain- h = 1000 (Min) @ I =1 Adc FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power amplifier a

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History: KTA1837

 

 

 


 
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