2SD698 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD698

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2500 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 600 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 150

Encapsulados: TO3A-1

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2SD698 datasheet

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 9.2. Size:125K  panasonic
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 9.4. Size:209K  inchange semiconductor
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2SD698

isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD692 DESCRIPTION Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC current gain- h = 1000 (Min) @ I =1 Adc FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power amplifier a

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