2SD718O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD718O

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 6 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 170 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO3P

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2SD718O datasheet

 ..1. Size:195K  cn sptech
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2SD718O

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SD718 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SB688 APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR

 8.1. Size:106K  utc
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2SD718O

UTC 2SD718 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION FEATURES *Recommended for 45 50W Audio Frequency *Amplifier Output Stage. *Complementary to 2SB688. 1 TO-3P 1 BASE 2 COLLECTOR 3 EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector-Base Voltage VCBO 120 V Collector-Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter-Base Voltage

 8.2. Size:118K  mospec
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2SD718O

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 8.3. Size:610K  jilin sino
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2SD718O

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