2SD738A Todos los transistores

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2SD738A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD738A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 30

Empaquetado / Estuche: XM20

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SD738A

 

2SD738A Datasheet (PDF)

5.1. 2sd734.pdf Size:102K _sanyo

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Ordering number:512F PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB698/2SD734 1W AF Output, Electronic Governor, DC-DC Converter Applications Package Dimensions unit:mm 2003A [2SB698/2SD734] JEDEC : TO-92 B : Base ( ) : 2SB698 for audio 1W output. EIAJ : SC-43 C : Collector SANYO : NP E : Emitter Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25?C Parameter Symbol Conditions Rati

5.2. 2sd733.pdf Size:94K _no

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5.3. 2sd732.pdf Size:235K _inchange_semiconductor

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD732 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V (Min) ·High Current Capability ·Complement to Type 2SB696 APPLICATIONS ·Designed for AF power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER MAX UNIT VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO

5.4. 2sd733 2sd733k.pdf Size:123K _inchange_semiconductor

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD733 2SD733K DESCRIPTION Ў¤ With TO-3 package Ў¤ Complement to type 2SB697/697K Ў¤ High power dissipation APPLICATIONS Ў¤ Power amplifier applications Ў¤ Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter DESCRIPTION Absolute

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