2SD750 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD750

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 110 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO3

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2SD750 datasheet

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
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2SD750

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD750 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V (Min) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation High Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for AF high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX UNIT

 9.1. Size:128K  panasonic
 2sb713 2sd751.pdf pdf_icon

2SD750

 9.2. Size:67K  hitachi
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2SD750

 9.3. Size:31K  hitachi
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2SD750

2SD755, 2SD756, 2SD756A Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716A Outline TO-92MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SD755, 2SD756, 2SD756A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A Unit Collector to base voltage VCBO 100 120 140 V Collector to emitter vol

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