2SD753 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD753

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TO3

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2SD753 datasheet

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2SD753

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD753 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 200V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 150W(Max)@T =25 C C High Current Capability Complement to Type 2SB723 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applica

 9.1. Size:128K  panasonic
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2SD753

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2SD753

2SD755, 2SD756, 2SD756A Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716A Outline TO-92MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SD755, 2SD756, 2SD756A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A Unit Collector to base voltage VCBO 100 120 140 V Collector to emitter vol

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