2SD753 Todos los transistores

 

2SD753 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD753
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD753 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  inchange semiconductor
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2SD753

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD753DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 150W(Max)@T =25C CHigh Current CapabilityComplement to Type 2SB723Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applica

 9.1. Size:128K  panasonic
 2sb713 2sd751.pdf pdf_icon

2SD753

 9.2. Size:67K  hitachi
 2sd757 2sd758.pdf pdf_icon

2SD753

 9.3. Size:31K  hitachi
 2sd755 2sd756.pdf pdf_icon

2SD753

2SD755, 2SD756, 2SD756ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD755, 2SD756, 2SD756AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A UnitCollector to base voltage VCBO 100 120 140 VCollector to emitter vol

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History: 2SD754 | RT1P130U

 

 
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