2SD788 Todos los transistores

 

2SD788 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD788
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SD788 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  hitachi
 2sd787 2sd788.pdf pdf_icon

2SD788

2SD787, 2SD788Silicon NPN EpitaxialApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SB738 and 2SB739OutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD787, 2SD788Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD787 2SD788 UnitCollector to base voltage VCBO 20 20 VCollector to emitter voltage VCEO 16 20 VEmitter to base voltage VEBO

 9.1. Size:125K  1
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2SD788

RoHS 2SD780/2SD780ASOT-23-3L 2SD780/2SD780A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR Power dissipation PCM: 0.2 W (Tamb=25) 2. 80 0. 051. 60 0. 05 Collector current ICM: 0.3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V 2SD780 V(BR)CBO: 80 V 2SD780A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55 to +150 E

 9.2. Size:179K  nec
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 9.3. Size:105K  rohm
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