2SD833 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD833 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 6000
Encapsulados: TO220
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2SD833 datasheet
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Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
2sd833.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD833 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 4000(Min) @I = 3A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.) @ I = 3A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio power amplifiers Relay& solenoid drivers Motor controls General purpose power ampli
2sd835.pdf
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Otros transistores... 2SD826G, 2SD827, 2SD828, 2SD829, 2SD83, 2SD830, 2SD831, 2SD832, TIP3055, 2SD834, 2SD835, 2SD836, 2SD836A, 2SD836B, 2SD837, 2SD837A, 2SD837B
History: MJE13003VI5
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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