2N2431 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2431

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.165 W

Tensión colector-base (Vcb): 32 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 100 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO1

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2N2431 datasheet

 9.1. Size:11K  semelab
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2N2431

2N2432 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 30V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 0.1A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JAN

 9.2. Size:211K  microsemi
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2N2431

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Tel +353 (0) 65 6840044 Fax +353 (0) 65 6822298 Website http //www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/313 DEVICES LEVELS 2N2432 2N2432UB JAN 2N2432A 2N2432AUB JANTX JANTXV AB

 9.3. Size:211K  microsemi
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2N2431

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Tel +353 (0) 65 6840044 Fax +353 (0) 65 6822298 Website http //www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/313 DEVICES LEVELS 2N2432 2N2432UB JAN 2N2432A 2N2432AUB JANTX JANTXV AB

Otros transistores... 2N2424, 2N2425, 2N2426, 2N2427, 2N2428, 2N2429, 2N243, 2N2430, BC548, 2N2431MP, 2N2432, 2N2432A, 2N2433, 2N2434, 2N2435, 2N2436, 2N2437