2N2431 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N2431
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.165 W
   Tensión colector-base (Vcb): 32 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO1

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N2431

2N2431 Datasheet (PDF)

9.1. Size:11K semelab
2n2432.pdf

2N2432Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230)5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195)4.52 (0.178)Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 30V 0.48 (0.019)0.41 (0.016)dia.IC = 0.1A 2.54 (0.100)All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JAN

9.2. Size:211K microsemi
2n2432aub.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/313 DEVICES LEVELS 2N2432 2N2432UB JAN 2N2432A 2N2432AUB JANTX JANTXV AB

9.3. Size:211K microsemi
2n2432ub.pdf