2N2431MP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2431MP
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.165 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO1
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2N2431MP datasheet
2n2432.pdf
2N2432 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 30V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 0.1A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JAN
2n2432aub.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Tel +353 (0) 65 6840044 Fax +353 (0) 65 6822298 Website http //www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/313 DEVICES LEVELS 2N2432 2N2432UB JAN 2N2432A 2N2432AUB JANTX JANTXV AB
2n2432ub.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Tel +353 (0) 65 6840044 Fax +353 (0) 65 6822298 Website http //www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/313 DEVICES LEVELS 2N2432 2N2432UB JAN 2N2432A 2N2432AUB JANTX JANTXV AB
Otros transistores... 2N2425, 2N2426, 2N2427, 2N2428, 2N2429, 2N243, 2N2430, 2N2431, TIP41, 2N2432, 2N2432A, 2N2433, 2N2434, 2N2435, 2N2436, 2N2437, 2N2438
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Liste
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