2SD900A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD900A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 1500 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 180 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 6

Encapsulados: TO3

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2SD900A datasheet

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2SD900A

 8.2. Size:181K  inchange semiconductor
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2SD900A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD900 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Low Collector Saturation Voltage- V = 5.0V(Max.)@ I = 4.5A CE(sat) C Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV deflection

 9.1. Size:45K  sanyo
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 9.2. Size:27K  no
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