2SD915 Todos los transistores

 

2SD915 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD915
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: SPECIAL
 

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2SD915 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:91K  panasonic
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 9.2. Size:94K  fuji
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2SD915

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
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2SD915

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD916DESCRIPTIONHigh DC Current GainLow Saturation VoltageHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio power amplifiersRelay& solenoid driversMotor controlsGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

 9.4. Size:180K  inchange semiconductor
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2SD915

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD911DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityGood Linearity of hFEHigh ReliabilityWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio amplifierSeries regulatorsGenera

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History: CSC1047B | CL152-3B | BCP55-10HE3 | MMBT2369L | KT681A | 2SD2453 | 2SA1507

 

 
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