2SD919 Todos los transistores

 

2SD919 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD919
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO92MOD
 

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2SD919 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:91K  panasonic
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2SD919

 9.2. Size:94K  fuji
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2SD919

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
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2SD919

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD916DESCRIPTIONHigh DC Current GainLow Saturation VoltageHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio power amplifiersRelay& solenoid driversMotor controlsGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

 9.4. Size:180K  inchange semiconductor
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2SD919

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD911DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityGood Linearity of hFEHigh ReliabilityWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio amplifierSeries regulatorsGenera

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