2SD921 Todos los transistores

 

2SD921 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD921
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 12 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 700
   Paquete / Cubierta: TOP3
 

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2SD921 Datasheet (PDF)

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2SD921

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD929DESCRIPTIONHigh DC Current Gain: h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4VFE C CEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOHigh ReliabilityGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLIC

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History: ECG351 | ESM5671

 

 
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