2SD929 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD929  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 700

Encapsulados: TO3

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2SD929 datasheet

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2SD929

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD929 DESCRIPTION High DC Current Gain h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4V FE C CE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 180V(Min) (BR)CEO High Reliability Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLIC

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