2N2480A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2480A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO77

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2N2480A datasheet

 9.1. Size:369K  rca
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2N2480A

 9.2. Size:49K  philips
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2N2480A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D125 2N2484 NPN general purpose transistor 1997 May 01 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistor 2N2484 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V) 1 emitter 2 base

 9.3. Size:73K  central
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2N2480A

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.4. Size:221K  cdil
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2N2480A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2484 TO-18 This transistors is primarily intended for use in high performance, low level, low noise amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Collector -Base Voltage VCBO 60 V Emitter -Base

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