2N250A Todos los transistores

 

2N250A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N250A
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.16 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2N250A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:100K  njs
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2N250A

 9.2. Size:180K  ixys
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2N250A

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 2500VIXBH2N250BIMOSFETTMIXBT2N250IC110 = 2AVCE(sat) 3.50VMonolithic Bipolar MOSTransistor TO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 2500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VGC (TAB)CVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VIC

 9.3. Size:206K  ixys
 ixbh42n250.pdf pdf_icon

2N250A

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 2500VIXBH42N250BIMOSFETTM MonolithicIC110 = 42ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.0VTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 2500 VGC TabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VEVGES Continuous 25 VG = Gate C = CollectorVGEM Transient 35

 9.4. Size:175K  ixys
 ixgh2n250.pdf pdf_icon

2N250A

Advance Technical InformationHigh Voltage IGBTsVCES = 2500VIXGH2N250IXGT2N250IC110 = 2Afor Capacitor DischargeVCE(sat) 3.1VApplicationsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGC (TAB)VCES TC = 25C to 150C 2500 VCEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-268 (IXGT)IC2

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