2N2526 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2526
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
2N2526 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2N251A , 2N252 , 2N2520 , 2N2521 , 2N2522 , 2N2523 , 2N2524 , 2N2525 , A1015 , 2N2527 , 2N2528 , 2N2529 , 2N253 , 2N2530 , 2N2530A , 2N2531 , 2N2532 .
History: BC848CW-G | 2SA1706T-AN | 2SA795A | 3DG2413K | 2SA815 | RT3YB7M
History: BC848CW-G | 2SA1706T-AN | 2SA795A | 3DG2413K | 2SA815 | RT3YB7M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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