2N255 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N255
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N255
2N255 Datasheet (PDF)
2n25550 2n25551.pdf
2N5550 / 2N5551 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the PNP transistors 2N5400 and 2N5401 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Otros transistores... 2N2535 , 2N2536 , 2N2537 , 2N2538 , 2N2539 , 2N254 , 2N2540 , 2N2541 , A733 , 2N2551 , 2N2552 , 2N2553 , 2N2554 , 2N2555 , 2N2556 , 2N2557 , 2N2558 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050