2N2552 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N2552
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 0.22 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: MT27

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N2552

2N2552 Datasheet (PDF)

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2n25550 2n25551.pdf

2N5550 / 2N5551 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the PNP transistors 2N5400 and 2N5401 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

Otros transistores... 2N2537 , 2N2538 , 2N2539 , 2N254 , 2N2540 , 2N2541 , 2N255 , 2N2551 , BC327 , 2N2553 , 2N2554 , 2N2555 , 2N2556 , 2N2557 , 2N2558 , 2N2559 , 2N255A .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050