2N2558 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2558
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.22 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: MT28
- Selección de transistores por parámetros
2N2558 Datasheet (PDF)
2n25550 2n25551.pdf

2N5550 / 2N5551 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the PNP transistors 2N5400 and 2N5401 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Otros transistores... 2N255 , 2N2551 , 2N2552 , 2N2553 , 2N2554 , 2N2555 , 2N2556 , 2N2557 , S8550 , 2N2559 , 2N255A , 2N256 , 2N2560 , 2N2561 , 2N2562 , 2N2563 , 2N2563-5 .
History: LBC549 | BDY76 | HA7502 | DMBT9013 | TT2142 | 2SC596N | 3CK117
History: LBC549 | BDY76 | HA7502 | DMBT9013 | TT2142 | 2SC596N | 3CK117



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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