AD162-8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AD162-8
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 175
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
AD162-8 Datasheet (PDF)
ad162.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor AD162DESCRIPTIONWide Area of Safe OperationDC Current Gain-: h =50-350@I = 0.5AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.7V(Max)@ I = 3ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power switch and amplifier,consumer and industrial app
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SD1265 | 2SD2261 | 2SB67AH | 2SD2108 | 2SD2138 | 2SC4519-6 | BCX75
History: 2SD1265 | 2SD2261 | 2SB67AH | 2SD2108 | 2SD2138 | 2SC4519-6 | BCX75



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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