AF101W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AF101W
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: X01
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AF101W Datasheet (PDF)
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Otros transistores... ADY31 , ADY32 , ADZ11 , ADZ12 , AF101 , AF101BL , AF101O , AF101V , 2SC5200 , AF102 , AF105 , AF106 , AF106A , AF106N , AF107 , AF108 , AF109 .
History: ADY28X | 2SC2252 | D34DJ3 | BDX65C | 3CA80E | 2N21 | 2S191
History: ADY28X | 2SC2252 | D34DJ3 | BDX65C | 3CA80E | 2N21 | 2S191



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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