AF116N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AF116N
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO44
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AF116N Datasheet (PDF)
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History: BCM847DS
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