BC184LB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BC184LB

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 240

Encapsulados: TO92

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BC184LB datasheet

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BC184LB

BC184L Silicon NPN Small Signal Transistor (Note 1) BVCEO = 30V (Min.) hFE = 130 (Min.) @VCE = 5.0V, IC = 100mA TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 45 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current (DC) 500 mA PC Col

 8.2. Size:25K  fairchild semi
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BC184LB

BC184LC Silicon NPN Small Signal Transistor (Note 1) BVCEO = 30V (Min.) hFE = 250 (Min.) @VCE = 5.0V, IC = 2mA TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 45 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current (DC) 200 mA PC Coll

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BC184LB

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL AMPLIFIER TRANSISTORS BC184L, BC184LB BC184LC TO-92 Plastic Package General Purpose Amplifier Transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector -Emitter Voltage 30 V VCBO Collector -Base Voltage

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