2N2648 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2648
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO5
- Selección de transistores por parámetros
2N2648 Datasheet (PDF)
2n2646 2n2647.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n2647.pdf

2N2646 2N2647 SILICON UNIJUNCTION TRANSISTORS Silicon Planar Unijunction Transistors have a structure resulting in lower saturation voltage, peak-point current and valley current as zell as a much higher base-one peak pulse voltage. In addition, these devices are much faster switches. The 2N2646 is intended for general purpose industrial applications where circuit economy is of pr
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History: 2N3059 | 2SA1480E | 2SA909 | 2N1196 | 2N2600 | 2SC2959 | 2N4355
History: 2N3059 | 2SA1480E | 2SA909 | 2N1196 | 2N2600 | 2SC2959 | 2N4355



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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